Filtrele
Temiz hava ortamına maruz bırakılmış n-Si ve n-GaP yarıiletkenlerden üretilmiş Schottky diyotların karakteristiklerine arayüzey oksit tabaka kalınlığının etkisi
Effect on characteristics Schottky diodes of interface oxide layer thickness made from n-Si and n-GaP semiconductors at clean room media air-exposed
Yükleniyor
Tez No: 433065
Arama sonucunda 1 kayıt bulundu.