Tez No İndirme Tez Künye Durumu
119070 Bu tezin, veri tabanı üzerinden yayınlanma izni bulunmamaktadır. Yayınlanma izni olmayan tezlerin basılı kopyalarına Üniversite kütüphaneniz aracılığıyla (TÜBESS üzerinden) erişebilirsiniz.
A Study on flexural strength of layered Al-SiCp composites produced by powder metallurgy methods / Monolitik ve katmanlı Al-SiCp kompozitlerin eğme dayanımı
Yazar:SÜHA TİRKEŞ
Danışman: DOÇ.DR. RIZA GÜRBÜZ ; PROF.DR. BİLGEHAN ÖGEL
Yer Bilgisi: Orta Doğu Teknik Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü
Konu:Metalurji Mühendisliği = Metallurgical Engineering
Dizin:Alüminyum alaşımları = Aluminum alloys ; Eğilme dayanımı = Bending strength ; Karbon = Carbon ; Kompozitler = Composites
Onaylandı
Yüksek Lisans
İngilizce
2002
73 s.
öz MONOLİTİK VE KATMANLI AI-SiCp KOMPOZİTLERİN EĞME DAYANIMI Tirkeş, Süha Yüksek Lisans, Metalürji ve Malzeme Bölümü Tez Yöneticisi: Prof. Dr. Bilgehan ÖGEL Ortak Tez Yöneticisi: Assoc. Prof. Dr. Rıza GÜRBÜZ Aralık 2002, 73 sayfa AI-SiC kompozitleri Aı (ort. 26.2jj,m), Cu (ort. 63(a.m) ve SiC tozlarının karışımından üretilmiştir. Kuvvetlendirici parçacık boyutunun etkisini araştırmak için ortalama 10|a.m ve 40jo,m parçacık boyutunda SiC kullanılmıştır. 30mm x 40mm x 5mm boyutunda numuneler nitrojen altında sıcak pressleme ile üretilmiştir. Bu çalışmadaki kompozitler ağırlıkça10%SiC ve 30%SiC den oluşmaktadır. Çift-katmanlı numuneler AI-10%SiC ve Al- 30%SiC katmanlarından oluşmaktadır. 150°C de yaşlandırma işleminden sonra monolitik ve çift-katmanlı numunelerin eğme dayançları araştırılmıştır. Bir çok numuneninde çekiç-düşürme testi kullanılarak düşük hızda darbeye karşı davranışları belirlenmiştir.Her iki 10%SiC ve 30%SiC için AI-SiC(40>m) kompozitieri Al-SiC(IO^m) kompozitlerine göre daha yüksek eğme dayana göstermişlerdir. Çift- katmanlı kompozitlerin eğme dayançları monolitiklerininkilerle aynı aralıkdadır. Gerinim bölgesinde 10%SiC ya da 30%SiC olmasına bağlı olarak çift-katmanlı numunelerin dayancı gerinimdeki katmanın dayancı ile sınırlı olduğu tespit edilmiştir. Çekiç-düşürme testinde ise aynı kalınlıktaki monolitik numunelere gore çift katmanlı numuneler daha fazla direnç göstermişlerdir. Anahtar kelimeler: Eğme dayancı, çekiç düşürme testi, düşük hız balistiği, metal matris kompozitler, AI-SiC.
ABSTRACT A STUDY ON FLEXURAL STRENGTH OF LAYERED Al-SiC COMPOSITES PRODUCED BY POWDER METALLURGY METHODS Tirkeş, Süha M.S. Department of Metallurgical and Materials Engineering Supervisor: Prof. Dr. Bilgehan ÖGEL Co-Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Rıza GÜRBÜZ December 2002, 73 pages Al-SiC particulate reinforced composites were produced from a mixture of pure Al powder (avg. 26.2fj.rn), Cu powder (avg. 63p,m) and SiC powder. An average SiC powder size of 10 \xm and 40 p.m were used in all composites to investigate the effect of reinforcing particulate size. The hot consolidation of powders was carried out in a single-end rectangular die under nitrogen atmosphere to produce 30mm x 40mm x 5mm rectangular specimens. The composites in this study comprised either 10w/oSiC or 30w/oSiC. The bi-layer Al-SiC composites were produced in the form of AMOw/oSiC and AI-30w/oSiC two layer rectangular bars. After ageing at 150°C, the bend strength of monolithic and bi-layer composites were investigated. The low velocity impact 111behavior of several specimens was also determined using drop weight test apparatus. AI-SiCp(40jxm) composites have yielded higher flexural strength than the AI-SiC(10|^m) ones for both 10w/oSiC and 3Qw/oSiC. The flexural strength of bi-layer composites were in the range of monolithic ones. Depending on whether 10w/oSiC or 30w/oSiC layer is loaded in tension, the flexural strength of the bi-layer composite was very similar to that of monolithic composite with identical reinforcement content. In contrast to bend tests, the drop-weight test results have showed that bilayer composites have higher resistance to perforation when compared to the monolithic specimens of same thickness. Keywords: Flexural Strength, Drop-Weight Test, Low velocity ballistic limit, MMC, Ai-SiC. T.C YÛKSEKtoKEHM KUSULO iv nmcündANT*sv«« MRRKHİ.