Tez No	İndirme	Tez Künye	Durumu
252725		Akım transiyent spektroskopi yöntemi ile yarıiletken yapıların incelenmesi / An investigation of semiconductor structures with current transient spectroscopy Yazar:HATİCE BAŞAK Danışman: PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN Yer Bilgisi: İstanbul Üniversitesi / Fen Bilimleri Enstitüsü / Fizik Ana Bilim Dalı / Katıhal Fiziği Bilim Dalı Konu:Fizik ve Fizik Mühendisliği = Physics and Physics Engineering Dizin:Yarı iletkenler = Semiconductors	Onaylandı Yüksek Lisans Türkçe 2009 116 s.
Bu çalışmada, Ga1-yInyNxAs1-x / GaAs katkısız tekli ve çoklu kuantum kuyulu ve modülasyon katkılı üçlü kuantum kuyulu seyreltik nitratlı yarıiletkenlerdeki derin tuzak seviyeleri "Işıkla Uyarılan Akım Transiyent Spektroskopisi-Photo-Induced Current Transient Spectroscopy-PICTS" yöntemi kullanılarak incelenmiştir. Bu yöntem ile ışıkla uyarımdan sonraki akım bozulma (decay) eğrilerinin sıcaklıkla değişimlerinden elde edilen PICTS sinyallerinden yararlanılarak derin seviyelerin aktivasyon enerjileri (Ea), yakalama tesir kesitleri (?) belirlenmiştir. Ayrıca bu örneklerin kontak kalitesini belirlemek için I-V karakteristiğine bakılmıştır.Isıl işleme tabi tutulmuş ve tutulmamış katkısız tekli ve çoklu kuantum kuyulu yapılar için yapılan PICTS ölçümlerinde bulunan aktivasyon enerjileri ve yakalama tesir kesitleri kıyaslanıp tavlamanın örnekler üzerindeki etkisi incelenmiştir. Isıl işleme tabi tutulmuş modülasyon katkılı örnek olmadığı için, sonuçlar sadece ısıl işleme tabi tutulmamış modülasyon katkılı örnek için elde edilmiştir. Bu yüzden bu örnek için sadece derin seviyelerin aktivasyon ve yakalama tesir kesitleri elde edilmiştir. Elde edilen sonuçlar literatürle kıyaslanarak tartışılmıştır.
In this study ?Photo-induced Current Transient Spectroscopy-PICTS? technique has been used to investigate deep levels of undoped and modulation doped Ga1-yInyNxAs1-x / GaAs dilute nitride semiconductors. The temperature dependence of the current decay after the excitation pulses were studied and the activation energies (Ea) and capture cross sections ( ? ) of the deep levels were determined. Moreover, in order to determine contact quality I-V characterization of these samples has been achieved.The activation energies and capture cross sections of undoped annealed and as-grown Single Quantum Well (SQW) and Multi Quantum Wells (MQWs) were investigated and these results were compared among each other. Effects of thermal annealing on the samples were also investigated. Results obtain an the modulation doped sample was only as-grown sample, since there was no annealed sample available. Therefore, only the activation energies and capture cross sections of this sample were investigated. Obtained results were discussed and compared with those in the literature.